主要单位
西安电子科技大学、华为技术有限公司、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、厦门市三安集成电路有限公司
主要完成人
马晓华、陈 震、别业楠、祝杰杰、卜爱民、林志东、卢 阳、段向阳、饶 进、孙 捷、郑雪峰、付兴中、段焕涛、孙希国、张 鹏
介绍
针对5G基站GaN射频功率放大器在外延材料、器件工艺、电路模块、系统算法等方面亟待解决的难题，系统性突破了宽频带、高能效、高线性的氮化镓射频功率放大器核心技术，实现了全球最大规模5G基站产业化应用。完成了基站用射频功率芯片从硅向第三代半导体技术的跨代发展，实现了我国氮化镓射频芯片技术的国际引领，支撑了我国在5G移动通信领域的国际领先。近三年实现GaN射频芯片产品累计销售49.8亿元，5G基站实现经济效益3000亿元